K9JUGY8J5C-CCK0 vs K9IUGY8J7B-BCK0 比較

詳細な並列比較: K9JUGY8J5C-CCK0 メーカー: Samsung Electronics および K9IUGY8J7B-BCK0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K9JUGY8J5C-CCK0 K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 - 1Tb TLC V-NAND Flash | Samsung

K9JUGY8J5C-CCK0 ✓ 生産中
Samsung Electronics
K9IUGY8J7B-BCK0 K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 - 1Tb V-NAND TLC Flash | Samsung | Memory ICs

K9IUGY8J7B-BCK0 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9JUGY8J5C-CCK0 K9IUGY8J7B-BCK0
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $7.60 $0.00
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
メモリタイプ NAND Flash - V-NAND (TLC) —
Density 1 Tb (128 GB) 1 Tbit
Cell Type TLC (Triple-Level Cell) TLC (Triple-Level Cell, 3 bits/cell)
Technology Generation V6 (6th-gen V-NAND, 128-layer) —
メモリ構成 [DATA_NEEDED: page/block organization] [DATA_NEEDED: page/block organization]
インターフェース [DATA_NEEDED: toggle/ONFI mode] [DATA_NEEDED: interface type and data rate]
パッケージ [DATA_NEEDED: BGA package code and dimensions] —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
Supply Voltage (VCC) [DATA_NEEDED: VCC range] —
Supply Voltage (VCCQ) [DATA_NEEDED: VCCQ range] —
Read Latency [DATA_NEEDED: tR] —
Program Time [DATA_NEEDED: tPROG] —
Endurance (P/E cycles) [DATA_NEEDED: rated P/E cycles] —
動作温度 [DATA_NEEDED: temperature range] [DATA_NEEDED: temperature range]
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSLレベル [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
MPN — K9IUGY8J7B-BCK0
Product Type — V-NAND Flash (raw NAND)
Technology — Samsung V-NAND (3D vertical NAND)
Speed Grade — BCK0
電源電圧 — [DATA_NEEDED: VCC range]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: P/E endurance]
Package Type — [DATA_NEEDED: package code / ball count]
ライフサイクル状態 — Active

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼