K9UMGB8U7M vs K9HCG08U1M Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9UMGB8U7M par Samsung Electronics et K9HCG08U1M par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9UMGB8U7M K9UMGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9UMGB8U7M - Samsung NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9UMGB8U7M ✓ Actif
Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9UMGB8U7M K9HCG08U1M
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $0,00
Type de mémoire NAND Flash —
Manufacturer Samsung Electronics —
Family K9U series NAND Flash —
Data Interface [DATA_NEEDED: Data Interface] —
Density [DATA_NEEDED: Memory Density] —
Organisation de la mémoire [DATA_NEEDED: Memory Organization] 8G x 8
Cell Type [DATA_NEEDED: Cell Type (SLC/MLC/TLC)] —
Tension d'alimentation [DATA_NEEDED: Supply Voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage]
Page Size [DATA_NEEDED: Page Size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: Block Size] [DATA_NEEDED: block size]
Read Time [DATA_NEEDED: Read Time] —
Program Time [DATA_NEEDED: Program Time] —
Endurance [DATA_NEEDED: Program/Erase Cycles] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] -40C to +105C (TA)
Boîtier [DATA_NEEDED: Package Type] TSOP-48 (PDSO48)
Type de montage [DATA_NEEDED: Mounting Type] Surface Mount
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] —
Memory Technology — MLC NAND Flash
Total Capacity — 64 Gbit
Largeur du bus de données — 8 bit
Type d'interface — Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command)
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: read time]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: program time]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]
Ready/Busy Output — Yes (R/B#)
Die Technology — Samsung E-die (per datasheet family)
Full Ordering Code — K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00

Fiches techniques et ressources

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