K9XXG08U0M vs K9HCG08U1M Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9XXG08U0M par Samsung Electronics et K9HCG08U1M par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9XXG08U0M K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M - 8Gbit SLC NAND Flash 3.3V | Samsung

K9XXG08U0M Obsolete
Samsung Electronics
K9HCG08U1M K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M - 64Gb 8Gx8 MLC NAND Flash | Samsung | SSD Storage

K9HCG08U1M ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9XXG08U0M K9HCG08U1M
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,60 $0,00
Type de mémoire NAND Flash —
Density 8 G-bit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 bit 8G x 8
Spare Area 256 M-bit (per K9K8G08U0M) —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V (3.3V device) [DATA_NEEDED: supply voltage]
Interface 8-bit parallel NAND (command/address/data multiplexed) —
Page Read Time 20 us —
Boîtier 48-pin TSOP-I TSOP-48 (PDSO48)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +105C (TA)
Access Interface Standard Samsung legacy NAND command set —
Bad Block Management Factory bad block marking (host-managed ECC required) —
Cell Type SLC (K9K8G08U0M) / MLC (K9G8G08U0M variants) —
ECC Requirement External ECC by host controller —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Memory Technology — MLC NAND Flash
Total Capacity — 64 Gbit
Largeur du bus de données — 8 bit
Type d'interface — Asynchronous NAND (multiplexed address/data/command)
Page Size — [DATA_NEEDED: page size]
Block Size — [DATA_NEEDED: block size]
Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: read time]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: program time]
Program/Erase Cycles — [DATA_NEEDED: endurance]
Ready/Busy Output — Yes (R/B#)
Die Technology — Samsung E-die (per datasheet family)
Full Ordering Code — K9HCG08U1M-PCB0 / K9HCG08U1M-PCB0T00

Fiches techniques et ressources

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