K9XXG08UXM vs K9MDG08U5M Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9XXG08UXM par Samsung Electronics et K9MDG08U5M par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K9XXG08UXM K9MDG08U5M
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $35,50
Taille de mémoire 2G x 8 Bit (2Gb) —
Memory Cell Array Organization (1G + 32M) bit x 8 bit —
Data Register (2K + 64) bit x 8 bit —
Tension d'alimentation 2.7 V to 3.6 V —
Page Size (2K + 64) Byte [DATA_NEEDED: page size]
Block Size (256K + 8K) Byte [DATA_NEEDED: block size]
Program Operation Automatic Page Program, (2K + 64) Byte —
Erase Operation Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte —
I/O Interface 8-bit multiplexed address/data/command —
Control Signals CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B —
Cell Type SLC (single-level cell) NAND MLC (2 bits per cell)
Boîtier 48-pin TSOP 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: Access Time] —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
Type de mémoire — MLC Large Block NAND Flash
Density — 16 Gbit (2 GB)
Organisation de la mémoire — 16G x 8 bit
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
Interface — Asynchronous x8 multiplexed address/data
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

Fiches techniques et ressources

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