K9XXG08UXM vs K9MDG08U5M 比較

詳細な並列比較: K9XXG08UXM メーカー: Samsung Electronics および K9MDG08U5M メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K9XXG08UXM K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM - 2G x 8 Bit NAND Flash Memory | Samsung

K9XXG08UXM Obsolete
Samsung Electronics
K9MDG08U5M K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M - 16Gb x8 MLC NAND Flash TSOP1-48 | Samsung

K9MDG08U5M ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K9XXG08UXM K9MDG08U5M
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 Obsolete 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $35.50
メモリサイズ 2G x 8 Bit (2Gb) —
Memory Cell Array Organization (1G + 32M) bit x 8 bit —
Data Register (2K + 64) bit x 8 bit —
電源電圧 2.7 V to 3.6 V —
Page Size (2K + 64) Byte [DATA_NEEDED: page size]
Block Size (256K + 8K) Byte [DATA_NEEDED: block size]
Program Operation Automatic Page Program, (2K + 64) Byte —
Erase Operation Automatic Block Erase, (256K + 8K) Byte —
I/O Interface 8-bit multiplexed address/data/command —
Control Signals CLE, ALE, CE, RE, WE, WP, R/B —
Cell Type SLC (single-level cell) NAND MLC (2 bits per cell)
パッケージ 48-pin TSOP 48-pin TSOP1 dual stacked, 12 mm x 20 mm
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: Operating Temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Access Time (tR) [DATA_NEEDED: Access Time] —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] unknown
メモリタイプ — MLC Large Block NAND Flash
Density — 16 Gbit (2 GB)
メモリ構成 — 16G x 8 bit
Supply Voltage Min — 2.7 V
Supply Voltage Max — 3.6 V
インターフェース — Asynchronous x8 multiplexed address/data
Terminals — 48
Circuits — 1
Die Configuration — Dual stacked
Page Read Time (tR) — [DATA_NEEDED: tR]
Program Time (tPROG) — [DATA_NEEDED: tPROG]

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