M29F400FT55N3F2 vs M29F400FB55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F400FT55N3F2 par Micron Technology et M29F400FB55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FB55N3F2 M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 - 4Mbit 55ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29F400FB55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F400FT55N3F2 M29F400FB55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $1,51 $2,95
Type de mémoire NOR Flash (SLC) NOR Flash
Taille de mémoire 4 Mbit —
Organisation de la mémoire 256K x 16 256K x 16 / 512K x 8
Interface Parallel Parallel
Access Time 55 ns 55 ns
Tension d'alimentation 5 V 5 V
Block Architecture Top boot block —
Boîtier 44-SO (SOP-44) 48-TSOP I
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Temperature Grade Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) —
Compliance Suffix F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) —
Programming Voltage Single supply (no 12 V VPP required) —
Technology Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase —
Max Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: min operating temperature] -40C to +125C
Density — 4 Mbit (4194 kbit)
Boot Block — Bottom boot block
Program/Erase Controller — Embedded byte/word program algorithms
Standard Package Quantity — 1500 units (Tape & Reel)
Active/Standby Current — [DATA_NEEDED: active and standby current]
Erase/Program Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention years]
VIO Range — [DATA_NEEDED: I/O voltage range]
Statut RoHS — Compliant (lead-free build per F2 suffix)

Fiches techniques et ressources

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