M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F800FT55M3E2 par Micron Technology et M29F800FB55M3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie EEPROM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,95 $3,72
Type de mémoire NOR Flash NOR Flash, Parallel
Taille de mémoire 8 Mbit —
Organisation de la mémoire 512K x 16 bit 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Interface Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
Tension d'alimentation 5 V —
Température de fonctionnement -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
Boîtier 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

Fiches techniques et ressources

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