M29F800FT55M3E2 vs M29F800FB55M3F2 比較

詳細な並列比較: M29F800FT55M3E2 メーカー: Micron Technology および M29F800FB55M3F2 メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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M29F800FT55M3E2 M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 - 8Mbit 55ns 5V Parallel NOR Flash | Micron

M29F800FT55M3E2 ✓ 生産中
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M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ M29F800FT55M3E2 M29F800FB55M3F2
ブランド Micron Technology Micron Technology
カテゴリ EEPROM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.95 $3.72
メモリタイプ NOR Flash NOR Flash, Parallel
メモリサイズ 8 Mbit —
メモリ構成 512K x 16 bit 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
インターフェース Parallel Parallel, Asynchronous
Access Time 55 ns 55 ns
電源電圧 5 V —
動作温度 -40C to +125C -40C to +125C
Boot Block Location Top boot block —
Program/Erase Cycles 100,000 per block —
Program Algorithm Embedded byte/word program —
Erase Features Erase suspend and resume —
Standby Mode Automatic standby, low power —
Identification Electronic signature —
パッケージ 44-SO (SOP) 44-pin SO (SOIC-44)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
RoHS ステータス Compliant (E suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Density 8389 kbits 8389 kbits (8 Mbit)
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Supply Voltage (VCC) — 5 V
Boot Block Type — Bottom Boot Block
Programming — Embedded byte/word program algorithms
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

データシート&リソース

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