M29W640GB70N3E vs M29W640GB70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W640GB70N3E par Micron Technology et M29W640GB70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W640GB70N3E | M29W640GB70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Obsolete |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,05 | $2,66 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash, Parallel |
| Density | 64 Mbit (8 MByte) | 64 Mb (8 MB) |
| Interface | Parallel, asynchronous | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Organisation de la mémoire | 4M x16 / 8M x8 | x8 / x16 |
| Boot Block | Bottom boot block (GB) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Programming | Word/Byte program, block erase | — |
| Command Set | M29W family standard command set | — |
| Chipset Validation | N/A | — |
| FBGA Code | N/A | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (per JLCPCB listing) |
| Qualification | — | Automotive AEC-Q100 |
| Program/Erase Interface | — | Parallel command set with status polling |
| Block Architecture | — | Uniform block (GB variant) |
| Part Status | — | Obsolete |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Read Current | — | [DATA_NEEDED: active read current] |