M29W640GB70N3F vs M29W128GL70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W640GB70N3F par Micron Technology et M29W128GL70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W640GB70N3F | M29W128GL70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Obsolete | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,66 | $2,48 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Parallel | NOR Flash |
| Density | 64 Mb (8 MB) | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | x8 / x16 | 8M x16 / 16M x8 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Qualification | Automotive AEC-Q100 | — |
| Boîtier | 48-TSOP I | 56-TSOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Program/Erase Interface | Parallel command set with status polling | — |
| Block Architecture | Uniform block (GB variant) | — |
| Part Status | Obsolete | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB listing) | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Memory Format | — | FLASH - NOR |
| Interface | — | Parallel |
| Block Organization Variant | — | GL (boot-block) |
| Speed Grade Code | — | -70 |
| Package Finish Code | — | N3F (lead-free TSOP) |
| Programming Interface | — | Command-set parallel bus, embedded state machine |
| Moisture Sensitivity Level | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |