M29W800FT70N3E vs M29W128GL70N3E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FT70N3E par Micron Technology et M29W128GL70N3E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W800FT70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Flash | Flash |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $8,65 |
| Type de mémoire | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 8 Mbit | 128 Mbit |
| Organisation de la mémoire | 1M x 8 / 512K x 16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| Interface | Parallel, address/data bus | Parallel |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 56-pin TSOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| Tension d'alimentation | — | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |