M29W800FT70N3E vs M29W128GL70N3E 比較
詳細な並列比較: M29W800FT70N3E メーカー: Micron Technology および M29W128GL70N3E メーカー: Micron Technology。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | M29W800FT70N3E | M29W128GL70N3E |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Micron Technology |
| カテゴリ | Flash | Flash |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $2.05 | $8.65 |
| メモリタイプ | NOR Flash (Parallel) | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 8 Mbit | 128 Mbit |
| メモリ構成 | 1M x 8 / 512K x 16 | 16M x8 / 8M x16 |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Programming / Erase Supply | Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V) | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT variant) | — |
| Bus Width | 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable) | — |
| インターフェース | Parallel, address/data bus | Parallel |
| 動作温度 | -40C to +125C | -40C to +125C |
| パッケージ | 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch) | 56-pin TSOP |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention] | — |
| Block Organization | [DATA_NEEDED: block size/organization] | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| 電源電圧 | — | 2.7 V to 3.6 V (3V/3.3V class) |
| Boot Block Configuration | — | Bottom boot (GL suffix) |
| Packaging | — | Tray |
| Automotive Qualification | — | Automotive grade ordering code (N3E) |
| Bus Width Mode | — | Software-selectable x8/x16 (BYTE# pin) |