M29W800FT70ZA3SF vs M29W064FT70N3F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M29W800FT70ZA3SF par Micron Technology et M29W064FT70N3F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M29W800FT70ZA3SF | M29W064FT70N3F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,05 | $6,30 |
| Type de mémoire | NOR Flash | NOR Flash |
| Density | 8 Mbit | 64 Mbit |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Tension d'alimentation | 2.7 V to 3.6 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | -40C to +125C |
| Boîtier | 48-TFBGA (6 x 8 mm) | 48-TSOP I |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Configuration | Top boot block (FT) | Top boot block (FT) |
| Memory Organization | [DATA_NEEDED: memory organization x8/x16] | — |
| Program/Erase Cycles | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: data retention years] | — |
| Active Read Current | [DATA_NEEDED: active read current] | — |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | — |
| Package Body Size | 6 x 8 mm | — |
| Ball Pitch | 0.80 mm | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | unknown |
| Organisation de la mémoire | — | 8 Mbit x8 / 4 Mbit x16 |
| Supply Voltage (VCC) | — | up to 3.6 V for program, erase, read |
| VPP Fast Program Voltage | — | 12 V (optional) |
| Programming Method | — | Command set / data polling / toggle bit |
| Block Protection | — | Yes, with temporary unprotection |
| Product Longevity Program | — | No |
| Width | — | x8/x16 |