M321R2GA3PB0-CWM vs M321R3GA3PB0-CWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de M321R2GA3PB0-CWM par Samsung Electronics et M321R3GA3PB0-CWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | M321R2GA3PB0-CWM | M321R3GA3PB0-CWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $37,50 | $0,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Module Type | 288-pin RDIMM (ECC Registered) | 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM) |
| Density | 16 GB (2G x 72) | — |
| Speed | 5600 Mbps (PC5-44800) | — |
| Operating Voltage | 1.1 V | 1.1 V |
| Rank x Organization | 1R x 8 | — |
| Component Composition | (2G x 8) x 10 FBGA DRAM | — |
| Nombre de broches | 288 | — |
| ECC | Registered with ECC | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | CL46 |
| Product Status | Mass Production | — |
| Form Factor | EC8 RDIMM | — |
| Compatible Platforms | Servers and workstations with DDR5 RDIMM support (e.g. Dell PowerEdge R660) | Lenovo ThinkSystem SR630 V3, SR650 V3, SR650 V4, SD650 V3 (vendor cross-refs verified) |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature] | — |
| Capacity | — | 24 GB |
| Organisation de la mémoire | — | 3Gx72 |
| Rank | — | Single Rank (1Rx8) |
| Transfer Rate | — | 5600 Mbps (PC5-44800) |
| DRAM Configuration | — | 10 x FBGA 3Gx8 DDR5 DRAM |
| ECC Support | — | Yes (ECC Registered) |
| Pins | — | 288 |
| Buffered | — | Yes (Registered/Buffered) |
| Application | — | Server / Data Center |
| Consumer PC Compatibility | — | No (server memory only) |
| Statut du cycle de vie | — | Mass Production |