M321R2GA3PB0-CWM vs M321R3GA3PB0-CWM 비교

다음의 상세 나란히 비교: M321R2GA3PB0-CWM 제조: Samsung Electronics 및 M321R3GA3PB0-CWM 제조: Samsung Electronics. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Samsung Electronics
M321R2GA3PB0-CWM M321R2GA3PB0-CWM - 16GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R2GA3PB0-CWM - 16GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R2GA3PB0-CWM ✓ 활성
Samsung Electronics
M321R3GA3PB0-CWM M321R3GA3PB0-CWM - 24GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R3GA3PB0-CWM - 24GB DDR5-5600 ECC RDIMM | Samsung

M321R3GA3PB0-CWM ✓ 활성

사양 비교

파라미터 M321R2GA3PB0-CWM M321R3GA3PB0-CWM
브랜드 Samsung Electronics Samsung Electronics
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $37.50 $0.00
메모리 유형 DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Module Type 288-pin RDIMM (ECC Registered) 288-Pin ECC Registered DIMM (RDIMM)
Density 16 GB (2G x 72) —
Speed 5600 Mbps (PC5-44800) —
Operating Voltage 1.1 V 1.1 V
Rank x Organization 1R x 8 —
Component Composition (2G x 8) x 10 FBGA DRAM —
핀 수 288 —
ECC Registered with ECC —
CAS 레이턴시 [DATA_NEEDED: CAS latency] CL46
Product Status Mass Production —
Form Factor EC8 RDIMM —
Compatible Platforms Servers and workstations with DDR5 RDIMM support (e.g. Dell PowerEdge R660) Lenovo ThinkSystem SR630 V3, SR650 V3, SR650 V4, SD650 V3 (vendor cross-refs verified)
RoHS 상태 [DATA_NEEDED: RoHS status] —
동작 온도 [DATA_NEEDED: operating temperature] —
Capacity — 24 GB
메모리 구성 — 3Gx72
Rank — Single Rank (1Rx8)
Transfer Rate — 5600 Mbps (PC5-44800)
DRAM Configuration — 10 x FBGA 3Gx8 DDR5 DRAM
ECC Support — Yes (ECC Registered)
Pins — 288
Buffered — Yes (Registered/Buffered)
Application — Server / Data Center
Consumer PC Compatibility — No (server memory only)
수명 주기 상태 — Mass Production

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