MC9S12A128BCFU vs MC9S12DG128CPV Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MC9S12A128BCFU par NXP Semiconductors et MC9S12DG128CPV par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MC9S12A128BCFU MC9S12A128BCFU - HCS12 16-Bit MCU 128KB Flash 80-QFP | NXP

MC9S12A128BCFU - HCS12 16-Bit MCU 128KB Flash 80-QFP | NXP

MC9S12A128BCFU ✓ Actif
NXP Semiconductors
MC9S12DG128CPV MC9S12DG128CPV - 16-Bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128CPV - 16-Bit HCS12 MCU, 128KB Flash | NXP

MC9S12DG128CPV ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MC9S12A128BCFU MC9S12DG128CPV
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Microcontrollers Microcontrollers
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $18,20 $17,85
Core HCS12 CPU (16-bit CISC) —
Maximum CPU Frequency 25 MHz —
Program Memory Size 128 KB (128K x 8) Flash —
RAM Size 4 KB —
EEPROM Size 2 KB —
Number of I/O Pins 59 91
ADC 8-channel, 10-bit —
Tension d'alimentation 5 V —
Boîtier 80-QFP (14x14 mm) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Plage de température de fonctionnement -40C to +85C (industrial) —
Oscillator Type External (crystal/resonator or external clock) —
Connectivity CAN, SCI, SPI —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 3 (168 hours)
Statut RoHS Compliant (per part stack listing) [DATA_NEEDED: RoHS status from manufacturer]
Peripheral Highlights 8-ch 10-bit ADC, PWM, SCI/SPI, CAN 2.0, SIM —
Core Architecture — HCS12 (16-bit CISC)
Maximum CPU Clock — 25 MHz
Program Memory (Flash) — 128 KB (128K x 8)
Data Memory (RAM) — 8 KB
EEPROM — 2 KB
Boîtier / Format — 112-LQFP (20 x 20 mm)
Analog-to-Digital Converter — 8-channel, 10-bit ATD
CAN Modules — Up to 3 x MSCAN (CAN 2.0A/B)
Serial Interfaces — 2 x SCI (UART), 1 x SPI, 1 x I2C
Timer — Enhanced Capture Timer (ECT), 8 channels
Operating Voltage — 4.5 V to 5.5 V (single 5V supply)
Température de fonctionnement — -40 C to +125 C (automotive)
Debug Interface — Background Debug Mode (BDM)
Flash Endurance — 100,000 write/erase cycles (typical)

Fiches techniques et ressources

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