MMBT3904,215 vs MMBT3904-7-F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MMBT3904,215 par Nexperia et MMBT3904-7-F par Diodes Incorporated. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MMBT3904,215 | MMBT3904-7-F |
|---|---|---|
| Marque | Nexperia | Diodes Incorporated |
| Catégorie | Transistors | Transistors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,02 | $0,04 |
| Type de transistor | NPN | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| Boîtier | SOT-23 (TO-236AB) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Tension collecteur-émetteur (Vceo) | 40 V | 40 V |
| Tension collecteur-base (Vcbo) | 60 V | 40 V |
| Tension émetteur-base (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250 mW | — |
| Fréquence de transition (ft) | 300 MHz (minimum) | 300 MHz minimum |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V |
| Tension de saturation collecteur-émetteur (Vce(sat)) | 200 mV (typical at IC = 10 mA) | 200 mV typical @ IC=10 mA |
| Noise Figure (NF) | 5 dB (maximum) | — |
| Plage de température de fonctionnement | -65 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| Nombre de broches | 3 | — |
| PNP Complement | MMBT3906 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 mW |
| Boîtier / Format | — | SOT-23-3 |
| Die Construction | — | Epitaxial Planar |
| Complementary PNP Type | — | MMBT3906-7-F |
| RoHS Compliance | — | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) |