MMBT3904,215 vs MMBT3904-7-F 비교
다음의 상세 나란히 비교: MMBT3904,215 제조: Nexperia 및 MMBT3904-7-F 제조: Diodes Incorporated. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Diodes Incorporated
MMBT3904-7-F - 40V NPN Small Signal BJT 200mA SOT-23 | Diodes Inc
MMBT3904-7-F ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MMBT3904,215 | MMBT3904-7-F |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nexperia | Diodes Incorporated |
| 카테고리 | Transistors | Transistors |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $0.02 | $0.04 |
| 트랜지스터 유형 | NPN | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| 패키지 | SOT-23 (TO-236AB) | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 컬렉터-이미터 전압 (Vceo) | 40 V | 40 V |
| 컬렉터-베이스 전압 (Vcbo) | 60 V | 40 V |
| 이미터-베이스 전압 (Vebo) | 6 V | 6 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 200 mA | 200 mA |
| Power Dissipation (Pd) | 250 mW | — |
| 전이 주파수 (ft) | 300 MHz (minimum) | 300 MHz minimum |
| DC Current Gain (hFE) | 100 to 300 (at IC = 10 mA, VCE = 1 V) | 100 to 300 @ IC=10 mA, VCE=1 V |
| 컬렉터-이미터 포화 전압 (Vce(sat)) | 200 mV (typical at IC = 10 mA) | 200 mV typical @ IC=10 mA |
| Noise Figure (NF) | 5 dB (maximum) | — |
| 동작 온도 범위 | -65 °C to +150 °C | -55 C to +150 C |
| 핀 수 | 3 | — |
| PNP Complement | MMBT3906 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Power Dissipation (PD) | — | 300 mW |
| 패키지 / 케이스 | — | SOT-23-3 |
| Die Construction | — | Epitaxial Planar |
| Complementary PNP Type | — | MMBT3906-7-F |
| RoHS Compliance | — | Yes (Lead-Free, Halogen-Free, Antimony-Free) |