MPXAZ4100AC6U vs MPXAZ4115AC6U Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MPXAZ4100AC6U par NXP Semiconductors et MPXAZ4115AC6U par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MPXAZ4100AC6U | MPXAZ4115AC6U |
|---|---|---|
| Marque | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Catégorie | Pressure Sensors | Pressure Sensors |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,45 | $10,95 |
| Pressure Type | Absolute | Absolute |
| Operating Pressure Range | 2.9 PSI to 15.23 PSI (20 kPa to 105 kPa) | — |
| Type de sortie | Analog Voltage (ratiometric) | Analog Voltage |
| Plage de tension de sortie | 0.3 V to 4.9 V | 0.2 V to 4.8 V |
| Tension d'alimentation | 4.85 V to 5.35 V | 4.85 V to 5.35 V (5 V typical) |
| Port Style | Male 0.13 in (3.17 mm) Tube, Top Port | Top port, Male - 0.13 in (3.17 mm) tube stub |
| Boîtier / Format | 8-SMD, Gull Wing, Top Port | — |
| Termination Style | Surface Mount (PCB) | — |
| Température de fonctionnement | -40 °C to +125 °C | -40 °C to +125 °C |
| Compensated Temperature | 0 °C to 85 °C | — |
| Mounting Feature | Surface Mount | — |
| Type de capteur | Piezoresistive Silicon MEMS | — |
| Signal Conditioning | On-chip (amplified, calibrated, temperature-compensated) | — |
| Media Protection | Media-resistant gel | — |
| Automotive Qualified | Yes (engine control / MAP sensing) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status from datasheet] | [DATA_NEEDED: RoHS status not in provided web data] |
| Pressure Range | — | 2.18 PSI to 16.68 PSI (15 kPa to 115 kPa) |
| Accuracy | — | ±1.5% |
| Port Style Detail | — | Barbless |
| Boîtier | — | 8-SMD, Gull Wing, Top Port |
| Case Outline | — | CASE 482A (Small Outline Package) |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Sensing Technology | — | Piezoresistive silicon, on-chip signal conditioned |
| Caractéristiques | — | Temperature compensated, calibrated, media resistant |
| Output Impedance | — | [DATA_NEEDED: not in provided web data] |