MPXV7025DPT1 vs MPXV7025DP Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MPXV7025DPT1 par NXP Semiconductors et MPXV7025DP par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MPXV7025DPT1 MPXV7025DPT1 - ±25 kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV7025DPT1 - ±25 kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV7025DPT1 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MPXV7025DP MPXV7025DP - 5V ±25kPa Differential Pressure Sensor | NXP/ST

MPXV7025DP - 5V ±25kPa Differential Pressure Sensor | NXP/ST

MPXV7025DP ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MPXV7025DPT1 MPXV7025DP
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie Pressure Sensors Pressure Sensors
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,05 $8,05
Operating Pressure ±3.63 PSI (±25 kPa) —
Pressure Type Differential Differential (Dual Port)
Type de sortie Analog Voltage (ratiometric) Analog voltage, ratiometric
Plage de tension de sortie 0.2 V to 4.7 V 0.2 V to 4.7 V
Tension d'alimentation 5.0 V typical 5 V DC nominal
Sensitivity Approximately 90 mV/kPa ~90 mV/kPa (at 5 V supply)
Port Size Male, 0.13 in (3.302 mm) tube, dual —
Port Style Dual ports, same side Dual ports, same side, male 0.13" (3.3 mm) tube
Boîtier / Format 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement -40 °C to +125 °C 0 °C to +85 °C
Type de capteur Piezoresistive (MEMS silicon) —
On-Chip Signal Conditioning Yes (calibrated and temperature-compensated) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Pressure Range — -25 kPa to +25 kPa (-3.63 PSI)
Operating Pressure Max — ±25 kPa
Linearity — ±5 % (over primary range)
Storage Temperature — -30 °C to +100 °C (per datasheet range)
Boîtier — 8-BSOP (SOP-8, 12.06 mm width), surface mount
Signal Conditioning — On-chip, calibrated and temperature compensated

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