MRF5S19060MBR1 vs MRF5S19060NR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF5S19060MBR1 par NXP Semiconductors et MRF5S19060NR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF5S19060MBR1 MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 - 12W RF Power LDMOS 1990MHz | NXP/Freescale

MRF5S19060MBR1 Obsolete
NXP Semiconductors
MRF5S19060NR1 MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 - 1930-1990 MHz 12W RF Power LDMOS | NXP

MRF5S19060NR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF5S19060MBR1 MRF5S19060NR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie RF Amplifiers RF Transceivers
Statut du cycle de vie Obsolete Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $16,40 $17,95
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Technology RF Power Field Effect Transistor —
Frequency Band 1.93 GHz to 1.99 GHz —
Typical Operating Frequency 1990 MHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V 65 V
Nominal Drain Operating Voltage 28 V —
Output Power (Average) 12 W 12 W
Power Gain 14 dB —
Test Current (Drain) 750 mA —
Drain Current Rating (Leakage Spec) 10 uA —
VSWR Tolerance 5:1 @ 28 Vdc, 1990 MHz, 12 W avg —
Input Matching Internally matched —
ESD Protection Integrated —
Boîtier TO-270 WB-4 (overmolded plastic, also listed as TO-272 WB-4) —
Package Outline Case 1486-03, Style 1 —
Style de montage Flange / surface mount with thermal pad Surface Mount
Maximum Junction Temperature 200 degree C —
Packaging Tape and Reel, 500 units per 44 mm 13-inch reel (R1 suffix) —
Target Application PCN/PCS 1900 MHz, 2 x N-CDMA base station PA final/driver stage —
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Typical Gain — 14 dB at 1.99 GHz
Test Supply Voltage — 28 V
Test Quiescent Current — 750 mA
Boîtier / Format — TO-270 WB-4 (over-molded plastic, 4-lead)
Configuration — Single, Common-Source
Application — Base station / broadband commercial amplifier
Nombre de broches — 5
Statut RoHS — Compliant
Lead Free Status — Lead Free
Operating Mode — Class AB (typical RF PA)

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis