MRF7S19170HSR3 vs MRF7S19120NR1 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF7S19170HSR3 par NXP Semiconductors et MRF7S19120NR1 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF7S19170HSR3 MRF7S19170HSR3 - 50W 1.99GHz LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF7S19170HSR3 - 50W 1.99GHz LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF7S19170HSR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF7S19120NR1 MRF7S19120NR1 - 36W RF Power LDMOS, 1930-1990 MHz | NXP

MRF7S19120NR1 - 36W RF Power LDMOS, 1930-1990 MHz | NXP

MRF7S19120NR1 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF7S19170HSR3 MRF7S19120NR1
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $99,40 $73,00
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) —
Part Status (Rochester) Active - Rochester Electronics LLC authorized stock —
Type de transistor LDMOS (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral
Technology HV7 LDMOS RF Power MOSFET (Gen7 HV8 LDMOS)
Frequency Band 1930-1990 MHz (US PCS / UMTS Band 1 / DCS-1900) —
Test Frequency 1.99 GHz —
Drain-Source Voltage (Max) 65 V —
Operating Drain Voltage 28 V (typical) —
Test Drain Current 1.4 A —
Output Power (Avg) 50 W (W-CDMA) —
Power Gain (typ) 17.2 dB 18 dB at 1.99 GHz
Boîtier / Format NI-880S (ceramic flange, bolt-down) —
Type de montage Chassis / Heatsink Mount (flange) —
Operating Mode Class AB / Class C —
Modulation Supported CDMA, W-CDMA, multi-carrier GSM, EDGE —
Lead Finish Ni-Au (lead-free compatible) —
Statut RoHS Compliant (per NXP product page) —
Frequency Range — 1930 MHz to 1990 MHz
Output Power (Avg, W-CDMA) — 36 W
Drain-Source Voltage (Vds max) — 65 V (rated)
Test Supply Voltage (Vdd) — 28 V
Test Quiescent Current (Idq) — 1.2 A
Operating Class — Class AB, Class C
Boîtier — TO-270 WB-4 (overmolded plastic, 4-lead)
Style de montage — Surface Mount / Flange Mount
Nombre de broches — 5 (per Freescale/NXP datasheet)
Lead Free Status — Lead Free per datasheet
Target Modulation — W-CDMA, CDMA, multi-carrier GSM
Application — CDMA / W-CDMA base station final-stage PA

Fiches techniques et ressources

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