MRF8S18120HR3 vs MRF8S18120HSR3 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8S18120HR3 par NXP Semiconductors et MRF8S18120HSR3 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8S18120HR3 MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 - 1.8GHz 72W CW LDMOS RF Power Transistor | NXP

MRF8S18120HR3 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF8S18120HSR3 MRF8S18120HSR3 - 72W, 1.81GHz RF LDMOS | NXP | Cellular BTS

MRF8S18120HSR3 - 72W, 1.81GHz RF LDMOS | NXP | Cellular BTS

MRF8S18120HSR3 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $54,20 $65,00
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale) NXP Semiconductors
Part Number MRF8S18120HR3 MRF8S18120HSR3
Type de transistor LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS, N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Range 1805 to 1880 MHz —
Output Power (CW) 72 W 72 W
Power Gain (typ) 18.2 dB at 1.81 GHz —
Drain-Source Voltage (Rated) 65 V —
Test Drain Voltage (Vdd) 28 V —
Test Quiescent Current (Idq) 800 mA —
Drain Current Rating 10 uA (leakage spec entry per datasheet) —
Operating Mode Class AB, Class C —
Boîtier NI-780H (3-pin ceramic, flangeless) —
Type de montage Surface Mount / Screw-down heatsink —
Target Application GSM, GSM EDGE base station PA —
Statut RoHS Compliant per NXP product page Compliant
Drain-Source Voltage (Max) — 65 V
Test Drain Voltage — 28 V
Test Quiescent Current (IDQ) — 800 mA
Operating Frequency — 1805 MHz to 1880 MHz
Center Frequency — 1.81 GHz
Power Gain (Typ) — 18.2 dB
Drain Current (Test) — 800 mA
Package Type — NI-780S
Style de montage — Surface Mount (ceramic flange)
Operating Class — Class AB / Class C
Application — GSM / GSM EDGE cellular base station power amplifiers

Fiches techniques et ressources

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