MRFG35005NR5 vs MRFG35010NR5 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRFG35005NR5 par NXP Semiconductors et MRFG35010NR5 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre MRFG35005NR5 MRFG35010NR5
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Obsolete Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $25,75 $9,60
Type de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Configuration Single, N-Channel Single, unmatched
Operating Frequency 3.55 GHz —
Power Gain 11 dB —
Output Power 4.5 W —
Test Voltage 12 V —
Quiescent Current (Idq) 80 mA —
Drain-Source Voltage Rating 15 V —
Current Rating 1.7 A 2.9 A
Boîtier / Format PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Type de montage Flange / Chassis Mount Surface Mount
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Packaging Bulk / Tape & Reel —
Part Status Obsolete —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] [DATA_NEEDED: rohs status]
Frequency — 3.55 GHz
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
Lead Free Status — [DATA_NEEDED: lead free status]

Fiches techniques et ressources

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