MRFG35005NR5 vs MRFG35010NR5 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRFG35005NR5 por NXP Semiconductors y MRFG35010NR5 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRFG35005NR5 MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 - 4.5W 3.55GHz pHEMT RF FET | NXP Semiconductors

MRFG35005NR5 Obsolete
NXP Semiconductors
MRFG35010NR5 MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 - 9W pHEMT RF Power FET 3.55GHz | NXP

MRFG35010NR5 Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MRFG35005NR5 MRFG35010NR5
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Obsolete Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $25,75 $9,60
Tipo de transistor pHEMT FET pHEMT FET
Configuration Single, N-Channel Single, unmatched
Operating Frequency 3.55 GHz —
Power Gain 11 dB —
Output Power 4.5 W —
Test Voltage 12 V —
Quiescent Current (Idq) 80 mA —
Drain-Source Voltage Rating 15 V —
Current Rating 1.7 A 2.9 A
Encapsulado / Carcasa PLD-1.5 PLD-1.5
Supplier Device Package PLD-1.5 PLD-1.5
Tipo de montaje Flange / Chassis Mount Surface Mount
Technology GaAs pHEMT GaAs pHEMT
Packaging Bulk / Tape & Reel —
Part Status Obsolete —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance] [DATA_NEEDED: rohs status]
Frequency — 3.55 GHz
Operating Frequency Range — Up to 3.6 GHz
Gain — 10 dB (typical at 3.55 GHz)
Output Power (CW) — 9 W
Voltage - Rated — 15 V
Voltage - Test — 12 V
Current - Test — 180 mA
Application — WLL/MMDS/BWA/UMTS driver stages
Lead Free Status — [DATA_NEEDED: lead free status]

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