MT25QU01GBBB8E12-0AUT vs MT29F4G01ABBFD12-AUT:F Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT25QU01GBBB8E12-0AUT par Micron Technology et MT29F4G01ABBFD12-AUT:F par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT25QU01GBBB8E12-0AUT - 1Gb SPI NOR Flash 133MHz | Micron
MT25QU01GBBB8E12-0AUT ✓ ActifMicron Technology
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F - 4Gbit SLC SPI NAND Flash | Micron
MT29F4G01ABBFD12-AUT:F ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT25QU01GBBB8E12-0AUT | MT29F4G01ABBFD12-AUT:F |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | EEPROM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,10 | $1,58 |
| Type de mémoire | NOR Flash, Serial (SPI) | FLASH - NAND (SLC) Memory IC |
| Density | 1 Gbit (128 MB) | — |
| Organisation de la mémoire | x1 / x2 / x4 (I/O width) | — |
| Tension d'alimentation | 1.8 V | [DATA_NEEDED: VCC range] |
| Interface | SPI, Dual SPI, Quad SPI | SPI |
| Max Clock Frequency | 133 MHz | [DATA_NEEDED: SPI clock frequency] |
| Access Time | 6 ns | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: temperature range] |
| Boîtier | 24-T-PBGA (6x8 mm) | TBGA (63-ball, per Micron serial NAND family) |
| FBGA Code | RW320 | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualification | AEC-Q100 qualified | AUT grade, :F automotive suffix |
| Write Protection | Hardware write protection; Software write protection; Write enable latch | — |
| Product Longevity Program | No | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (lead-free :F suffix) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Program/Erase Endurance | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | — |
| Data Retention | [DATA_NEEDED: retention years] | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit (512 MB) |
| Cell Type | — | SLC (Single-Level Cell) |
| Page Size | — | [DATA_NEEDED: page size] |
| Block Size | — | [DATA_NEEDED: block size] |
| On-Die ECC | — | Yes (ECD feature of serial NAND family) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |