MT40A1G16TD-062E vs H5ANAG6NCJR-XN Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G16TD-062E par Micron Technology et H5ANAG6NCJR-XN par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G16TD-062E MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E - 16Gb DDR4-3200 x16 SDRAM FBGA | Micron

MT40A1G16TD-062E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G16TD-062E H5ANAG6NCJR-XN
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie DRAM Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $18,41 $71,20
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 16 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 16 1G x 16
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Interface POD12 (1.2V pseudo open-drain) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/- 60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV, +250 mV —
Bank Architecture 8 banks (x16 configuration) —
VREFDQ On-die, internal, adjustable generation —
Refresh 8192-cycle, 64 ms up to 85C; 32 ms from 85C to 95C —
Température de fonctionnement TC maximum up to 95 C [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Boîtier 96-ball FBGA (7.5 x 13 mm) FBGA-96 (96-ball)
Type de montage Surface Mount Surface Mount (BGA)
Speed Grade -062E —
Product Line Suffix AAT:F (automotive AEC grade available per Micron catalog) —
Density — 16 Gbit (1G x 16)
Débit de données — 3200 Mbps/pin (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD) — 1.14 V to 1.26 V
Package Width — 8 mm
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask (DM) — Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC (Command/Address) — Yes
Write Leveling — Yes
Maximum Standby Current — 0.074 A (per Vyrian listing)
Statut RoHS — Compliant
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS latency for -XN speed grade]

Fiches techniques et ressources

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