MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NAFR-RDC Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8AG-062E par Micron Technology et H5AN8G8NAFR-RDC par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ Actif
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NAFR-RDC
Marque Micron Technology SK hynix
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $2,95
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit —
Organisation de la mémoire 1G x 8 1G x 8 (x8)
Interface Parallel DDR4 (Double Data Rate 4)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Boîtier 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
Type de montage Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gbit
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
Débit de données — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
Latence CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Lead-Free — Yes
Sans halogène — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

Fiches techniques et ressources

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