MT40A1G8AG-062E vs H5AN8G8NAFR-RDC 比較

詳細な並列比較: MT40A1G8AG-062E メーカー: Micron Technology および H5AN8G8NAFR-RDC メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Micron Technology
MT40A1G8AG-062E MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mb/s x8 | Micron

MT40A1G8AG-062E ✓ 生産中
SK hynix
H5AN8G8NAFR-RDC H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC - 8Gb DDR4 SDRAM x8 | SK hynix

H5AN8G8NAFR-RDC ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ MT40A1G8AG-062E H5AN8G8NAFR-RDC
ブランド Micron Technology SK hynix
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $3.10 $2.95
メモリタイプ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
メモリサイズ 8 Gbit —
メモリ構成 1G x 8 1G x 8 (x8)
インターフェース Parallel DDR4 (Double Data Rate 4)
Clock Frequency 1.6 GHz (DDR4-3200, 3200 MT/s data rate) —
Clock Cycle Time 19 ns class (-062E speed grade) —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
パッケージ 78-FBGA (7.5 x 11 mm) 78-ball FBGA
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
Temperature Grade Automotive (AUT) —
Access Time (CAS Latency class) DDR4-3200 timing class (tAA per datasheet) —
Bank Group Architecture Yes (DDR4 bank groups) —
Termination On-Die Termination (ODT) —
CA Parity Supported (DDR4 command/address parity) —
Packaging Option Tape and Reel (TR / :R suffix) —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
動作温度範囲 [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Refresh Rate [DATA_NEEDED: refresh rate] —
Density — 8 Gbit
Speed Grade — -RDC (DDR4-2666 class)
データレート — 2666 MT/s (per -R speed grade suffix)
Core Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
I/O Supply Voltage (VDDQ) — 1.2 V
Wordline Supply (VPP) — 2.5 V
Banks / Bank Groups — 16 banks / 4 bank groups (DDR4 8Gb architecture)
Burst Length — 8 (BL8)
CASレイテンシ — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
動作温度 — [DATA_NEEDED: Operating Temperature range]
Lead-Free — Yes
ハロゲンフリー — Yes
Datasheet Revision — Rev. 1.2 / Jul. 2017

データシート&リソース

すべての製品を閲覧 BOMを作成 見積もり依頼