MT40A1G8SA-062E vs K4A8G085WC-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A1G8SA-062E par Micron Technology et K4A8G085WC-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G085WC-BCTD - 8Gb DDR4 SDRAM 2666Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G085WC-BCTD ⚠ Dernier achatComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A1G8SA-062E | K4A8G085WC-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Dernier achat |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,05 | $50,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | 8 Gb |
| Organisation de la mémoire | 1G x 8 | 1G x 8 |
| Débit de données | 3200 MT/s (DDR4-3200) | 2666 Mbps (PC4-2133) |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time (CAS Latency) | CL22 at 3200 MT/s | — |
| Row Access Time | 19 ns | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV, +250 mV | — |
| Internal Banks | 16 banks (4 bank groups x 4 banks) | — |
| Refresh | 8192-cycle; 64 ms (0-85C), 32 ms (85-95C), 16 ms (>95C) | — |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (CT range; IT: -40C to +95C) | 0C to +95C |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| Burst Length | BL8, BC4 (burst chop) | 8 (chop 4) |
| Boîtier | 78-ball FBGA (7.5 x 11 mm) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, write leveling, dynamic ODT, CRC, auto precharge, ZQ calibration, on-die adjustable VREFDQ | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Standard Operating Temp Range | — | 0C to +85C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Type d'interface | — | Synchronous, parallel |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |