MT40A512M16LY-062E AAT:E vs K4A8G165WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology et K4A8G165WG-BCWE par Samsung Electro-Mechanics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron

MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ Actif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WG-BCWE K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM x16 3200Mbps | Samsung

K4A8G165WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-062E AAT:E K4A8G165WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electro-Mechanics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $9,20 $29,53
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Taille de mémoire 8 Gbit (1 GB) 8 Gbit
Memory Organization 512M x 16 512M x 16
Interface Parallel —
Clock Frequency 1.6 GHz —
Access Time 19 ns —
Tension d'alimentation 1.2 V 1.2 V
Speed Grade 062E —
Boîtier 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) FBGA-96
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Package Height [DATA_NEEDED: package max height] —
MSL Rating [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Ordering Code Suffix AAT:E (temperature/package option per Micron code) —
Statut RoHS Compliant Compliant
Moisture Packaging [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] —
Data Rate Class DDR4-3200 (062E speed bin) —
Débit de données — 3200 Mbps
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +85°C
Operating Current — 20 mA
Memory Interface — Parallel
Row Cycle Time (tRC) — 19 ns
Technology — B-die
Lead-Free — Yes
Statut du cycle de vie — Active

Fiches techniques et ressources

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