MT40A512M16LY-062E AAT:E vs MT40A512M16JY-083E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E AAT:E par Micron Technology et MT40A512M16JY-083E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E AAT:E - 8Gbit DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16LY-062E AAT:E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16JY-083E - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s x16 | Micron
MT40A512M16JY-083E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16LY-062E AAT:E | MT40A512M16JY-083E |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,20 | $5,85 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (Automotive) |
| Taille de mémoire | 8 Gbit (1 GB) | — |
| Memory Organization | 512M x 16 | — |
| Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | 1.2 GHz (tCK = 0.83 ns) |
| Access Time | 19 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | — |
| Speed Grade | 062E | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) | 96-FBGA (8 x 14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: package max height] | — |
| MSL Rating | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Ordering Code Suffix | AAT:E (temperature/package option per Micron code) | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Moisture Packaging | [DATA_NEEDED: packing type for AAT:E suffix] | — |
| Data Rate Class | DDR4-3200 (062E speed bin) | — |
| Density | — | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Débit de données | — | 2400 MT/s (speed grade -083E) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/- 60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV, +250 mV |
| I/O Interface | — | 1.2 V pseudo open-drain |
| VREFDQ | — | On-die internal adjustable generation |
| Refresh Structure | — | 8192-cycle refresh |
| Refresh Window | — | 64 ms at -40C to 85C; 32 ms at >85C to 95C; 16 ms at >95C |
| ECCN | — | EAR99 |
| Sans halogène | — | Compliant |
| Country of Origin | — | China |