MT40A512M16LY-062E:E vs MT40A512M16LY-062E-ATE Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E:E par Micron Technology et MT40A512M16LY-062E-ATE par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E:E ✓ ActifMicron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron
MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16LY-062E:E | MT40A512M16LY-062E-ATE |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $34,99 | $34,10 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit (512M x 16) | 8 Gbit |
| Organisation de la mémoire | x16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade) | 1.6 GHz |
| Débit de données | 3200 MT/s | 3200 MT/s (DDR4-3200) |
| Access Time (tRCD/tRP) | 19 ns (per DigiKey listing) | — |
| Voltage - Supply (VDD) | 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max | — |
| Voltage - VPP | 2.5 V (typical) | — |
| Interface | Parallel (LVCMOS / SSTL) | — |
| Boîtier / Format | 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm) | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron] | -40C to +105C (automotive) |
| Refresh Cycles | 65536 | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | Yes (ODT) |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes (data channel) | — |
| Data Mask Function | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes (LPASR) | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Access Time | — | 19 ns |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Supply Voltage (VPP) | — | 2.5 V |
| Boîtier | — | 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |
| Speed Grade | — | -062E (0.625 ns tCK) |
| Data Mask | — | Yes (DM) |
| Refresh Mode | — | Auto self-refresh |