MT40A512M16TB-062E:J vs K4A8G165WB-BCTD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16TB-062E:J par Micron Technology et K4A8G165WB-BCTD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M16TB-062E:J - 8Gb DDR4 SDRAM 1.6GHz | Micron
MT40A512M16TB-062E:J ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M16TB-062E:J | K4A8G165WB-BCTD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $8,10 | $37,00 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR4 | DDR4 SDRAM |
| Taille de mémoire | 8Gbit (512M x 16) | — |
| Clock Frequency | 1.6 GHz | — |
| Access Time | 19 ns | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5V (-125mV, +250mV) | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C; 32ms at >85°C to 95°C; 16ms at >95°C | — |
| Internal Banks (x16) | 8 (2 groups of 4 banks each) | — |
| Prefetch Architecture | 8n-bit | — |
| Boîtier | 96-FBGA (7.5x13.5 mm) | 96-ball FBGA |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to 95°C | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Organisation de la mémoire | — | 512M x 16 |
| Total Density | — | 8 Gb |
| Débit de données | — | 2666 Mbps/pin (PC4-2666) |
| Tension d'alimentation | — | 1.2 V |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CL value] |
| tRCD | — | [DATA_NEEDED: tRCD value] |
| tRP | — | [DATA_NEEDED: tRP value] |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |