MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WG-BCWE Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology et K4A4G085WG-BCWE par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron

MT40A512M8RH-075E:B ✓ Actif
Samsung Electronics
K4A4G085WG-BCWE K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE - 4Gb DDR4 3200Mbps SDRAM | Samsung

K4A4G085WG-BCWE ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M8RH-075E:B K4A4G085WG-BCWE
Marque Micron Technology Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $2,15 $2,68
Type de mémoire DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (Volatile)
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 512M x 8 —
Débit de données 2666 MT/s (DDR4-2666) 3200 Mbps/pin
Clock Frequency 1333 MHz (1.33 GHz) —
VDD Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VDDQ Supply Voltage 1.2 V +/-60 mV —
VPP Supply Voltage 2.5 V, -125 mV/+250 mV —
Type d'interface Parallel —
I/O Structure 1.2V pseudo open-drain —
Tension de référence On-die internal adjustable VREFDQ generation —
Boîtier 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA FBGA-78 (BCW)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Refresh Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) [DATA_NEEDED: refresh rate specification]
Speed Grade Suffix -075E —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Packaging Option Suffix :B (ball map B designation per Mouser listing) —
Taille de mémoire — 4 Gb
Memory Organization — 512M x 8
Speed Class — DDR4-3200
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Technology — D-die DDR4
Interface — Parallel (DDR4)
Burst Length — BL8
DLL Mode — DLL Enabled (per datasheet timing)
Packaging — Tray

Fiches techniques et ressources

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