MT40A512M8RH-075E:B vs K4A4G085WF-BITD Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M8RH-075E:B par Micron Technology et K4A4G085WF-BITD par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT40A512M8RH-075E:B - DDR4 4Gb 2666 MT/s SDRAM | Micron
MT40A512M8RH-075E:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT40A512M8RH-075E:B | K4A4G085WF-BITD |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,15 | $2,65 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 512M x 8 | 512M x 8 |
| Débit de données | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| Clock Frequency | 1333 MHz (1.33 GHz) | — |
| VDD Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VDDQ Supply Voltage | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP Supply Voltage | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Type d'interface | Parallel | — |
| I/O Structure | 1.2V pseudo open-drain | — |
| Tension de référence | On-die internal adjustable VREFDQ generation | — |
| Boîtier | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] | -40C to +95C |
| Refresh | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) | Self-refresh and auto-refresh (8K/64ms per JEDEC DDR4) |
| Speed Grade Suffix | -075E | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Packaging Option Suffix | :B (ball map B designation per Mouser listing) | — |
| Speed | — | 2666 Mbps (MT/s) |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| VPP Voltage | — | 2.5 V |
| Bank Architecture | — | 8 banks x 4 bank groups |
| Burst Length | — | BL8 |
| Latence CAS | — | CL19 (typical at 2666 Mbps) |
| Interface | — | Parallel, DDR4 SSTL12 |
| Termination | — | ODT / dynamic ODT |
| Data Mask | — | DM supported (x8) |
| Application Grade | — | Industrial |