MT41K256M16HA-107:E vs NT5CC256M16ER-EK Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-107:E par Micron Technology et NT5CC256M16ER-EK par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16HA-107:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-107:E | NT5CC256M16ER-EK |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,00 | $24,00 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35V | 1.35 V |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | TFBGA-96 |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to +95°C |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Débit de données | 1866 MT/s | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 13 (typical) | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Density | — | 4 Gbit |
| Burst Length | — | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic ODT | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |