MT41K256M16HA-107AAT:E vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-107AAT:E par Micron Technology et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron

MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16HA-107AAT:E MT41K256M16HA-125:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $5,95 $3,10
Type de mémoire DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4Gbit (256M x 16) —
Débit de données 933 MHz (DDR3L-1866) —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35V —
Interface Parallel —
Boîtier 96-FBGA (9x14mm) 96-FBGA (9x14 mm)
Température de fonctionnement 0°C to +95°C (Tc) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Latence CAS 13 (typical) 13.75 ns
Burst Length 8, 4 —
On-Die Termination Yes —
Refresh Auto-refresh, self-refresh —
Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 800 MHz
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
Nombre de broches — 96
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (TC)
Lead-Free — Yes
Largeur du bus de données — 16 bits
Logic Family — CMOS

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis