MT41K256M16HA-107AAT:E vs MT41K256M16HA-125:E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107AAT:E por Micron Technology y MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron
MT41K256M16HA-125:E ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-107AAT:E | MT41K256M16HA-125:E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,95 | $3,10 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | — |
| Interfaz | Parallel | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14mm) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (Tc) | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 13 (typical) | 13.75 ns |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Refresh | Auto-refresh, self-refresh | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L) |
| Supply Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bits |
| Logic Family | — | CMOS |