MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16LY-107:N Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology et MT41K256M16LY-107:N par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16LY-107:N
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $3,10 $8,10
Type de mémoire DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latence CAS 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Boîtier 96-FBGA (9x14 mm) —
Nombre de broches 96 —
Type de montage Surface Mount —
Plage de température de fonctionnement 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Statut RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Largeur du bus de données 16 bits 16 bit
Logic Family CMOS —
Taille de mémoire — 4 Gbit
Fréquence d'horloge maximale — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tension d'alimentation — 1.35 V
Boîtier / Format — 96-FBGA (7.5x13.5)
Style de montage — Surface Mount
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

Fiches techniques et ressources

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