MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16LY-107:N 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16LY-107:N 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16LY-107:N
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $3.10 $8.10
存储器类型 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS 延迟 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
封装 96-FBGA (9x14 mm) —
引脚数 96 —
安装类型 Surface Mount —
工作温度范围 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes —
数据总线宽度 16 bits 16 bit
Logic Family CMOS —
存储容量 — 4 Gbit
最大时钟频率 — 933 MHz
Access Time — 20 ns
电源电压 — 1.35 V
封装 / 外壳 — 96-FBGA (7.5x13.5)
安装方式 — Surface Mount
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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