MT41K256M16HA-15EM:E vs H5TC4G63MFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-15EM:E par Micron Technology et H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16HA-15EM:E - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16HA-15EM:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-15EM:E | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,95 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.5V compatible) | — |
| Débit de données | 1333 Mbps (DDR3L-1333) | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Latence CAS | 15 | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA (9x14mm) | 96-ball FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Interface | Parallel | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |