MT41K256M16RE-125:D vs K4B4G1646E-BYMATCV Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology et K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifSamsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16RE-125:D | K4B4G1646E-BYMATCV |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,19 | $5,90 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V |
| Débit de données | 1600 MT/s | 1866 Mbps |
| Latence CAS | 11 | Programmable (e.g., 13, 12, 11) |
| Boîtier | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | 8 (with burst chop 4) |
| On-Die Termination | Yes | — |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit (256M x 16) |
| I/O Voltage (VDDQ) | — | 1.35 V |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Plage de température de fonctionnement | — | -40°C to +95°C |
| Number of Banks | — | 8 |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |