MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16RE-15E:D par Micron Technology et MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $7,20 | $4,19 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gb (256M x 16) | — |
| Débit de données | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| Boîtier | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| Interface | Parallel | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latence CAS | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |