MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16RE-15E:D от Micron Technology и MT41K256M16RE-125:D от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ АктивенMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $7,20 | $4,19 |
| Тип памяти | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Размер памяти | 4Gb (256M x 16) | — |
| Скорость передачи данных | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| Напряжение питания | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| Корпус | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | — |
| Рабочая температура | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| Интерфейс | Parallel | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Задержка CAS | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| Количество выводов | 96 | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |