MT41K256M16TW-093:P vs MT41K256M16HA-125:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16TW-093:P par Micron Technology et MT41K256M16HA-125:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT41K256M16TW-093:P MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16TW-093:P - 4Gbit DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16TW-093:P ✓ Actif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT41K256M16TW-093:P MT41K256M16HA-125:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $15,50 $3,10
Type de mémoire SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Taille de mémoire 4 Gbit —
Organisation de la mémoire 256 M x 16 256M x 16
Largeur du bus de données 16 bit 16 bits
Fréquence d'horloge maximale 1.066 GHz —
Access Time 20 ns —
Tension d'alimentation 1.35 V (1.5 V compatible) —
Boîtier / Format 96-FBGA (8x14) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0°C to +95°C —
Statut RoHS Compliant Compliant
REACH Status Compliant —
Series MT41K256M16 —
Product Category DRAM —
Type SDRAM - DDR3L —
Density — 4 Gbit
Clock Frequency — 800 MHz
Latence CAS — 13.75 ns
Supply Voltage (VDD) — 1.35 V (DDR3L)
Supply Voltage (VDDQ) — 1.35 V
Boîtier — 96-FBGA (9x14 mm)
Nombre de broches — 96
Plage de température de fonctionnement — 0°C to +95°C (TC)
Lead-Free — Yes
Logic Family — CMOS

Fiches techniques et ressources

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