MT41K64M16TW-107 AUT:J vs K4B4G1646E-BYK000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K64M16TW-107 AUT:J par Micron Technology et K4B4G1646E-BYK000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K64M16TW-107 AUT:J - 1Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K64M16TW-107 AUT:J ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K64M16TW-107 AUT:J | K4B4G1646E-BYK000 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,85 | $0,56 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 1 Gbit | 4 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 64M x 16 | 256M x 16 |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Clock Frequency | 933 MHz | 800 MHz |
| Access Time | 20 ns | 1.25 ns |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible | — |
| Boîtier | 96-FBGA (8 x 14 mm) | 96-FBGA (BYK) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperature Grade | AUT (automotive) | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS latency] | — |
| Refresh Rate | [DATA_NEEDED: refresh rate] | — |
| Débit de données | 1866 MT/s (DDR3L-1866) | — |
| Termination | On-Die Termination (ODT) | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Packaging | Tray (T/R per listing) | — |
| Speed Grade | — | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) |
| CAS Latency (CL) | — | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) |
| Number of Banks | — | [DATA_NEEDED: bank count] |
| Die Process | — | Samsung E-die |
| Caractéristiques | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask |