MT53D512M32D2DS-053 WT:D vs MT53E256M32D2DS-053 WT:B Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53D512M32D2DS-053 WT:D par Micron Technology et MT53E256M32D2DS-053 WT:B par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ ActifMicron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53D512M32D2DS-053 WT:D | MT53E256M32D2DS-053 WT:B |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,05 | $21,90 |
| Type de mémoire | SDRAM - Mobile LPDDR4 | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) |
| Taille de mémoire | 16 Gbit (2 GB) | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 32 | 256M x 32 |
| Clock Frequency / Data Rate | 1.866 GHz (1866 MT/s) | — |
| Boîtier | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm |
| Die Configuration | DDP (Double Die Package) | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C | — |
| Speed Grade | -053 | — |
| Caractéristiques | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| Largeur du bus de données | 32 bit | — |
| Memory Interface | Parallel, LPDDR4 | — |
| Self-Refresh | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh | Auto self-refresh with built-in temperature sensor |
| Refresh | Auto refresh and self refresh | — |
| Tension d'alimentation | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] | — |
| Statut RoHS | RoHS Compliant (per DigiKey listing) | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) |
| Density | — | 8 Gbit (256M x 32) |
| Débit de données | — | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | — | 1.1 V |
| Operating Temperature (WT grade) | — | -30C to +85C |
| Bus Width | — | 32-bit |
| Peak Bandwidth (per device) | — | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: MSL level] |
| Access Time / CAS Latency | — | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] |
| Refresh Interval | — | [DATA_NEEDED: tREFI specification] |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: max package height] |