MT53E1G32D2FW-046 AUT:B vs MT53E1G32D2FW-046 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E1G32D2FW-046 AUT:B par Micron Technology et MT53E1G32D2FW-046 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B - 32Gbit LPDDR4X DRAM | Micron
MT53E1G32D2FW-046 AUT:B ✓ ActifMicron Technology
MT53E1G32D2FW-046 - 32Gbit LPDDR4X SDRAM 200-TFBGA | Micron
MT53E1G32D2FW-046 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E1G32D2FW-046 AUT:B | MT53E1G32D2FW-046 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $273,51 | $295,93 |
| Type de mémoire | SDRAM - Mobile LPDDR4X | Mobile LPDDR4X SDRAM |
| Taille de mémoire | 32 Gbit (4 GB) | 32 Gbit (4 GB) |
| Organisation de la mémoire | x32 Parallel | 1G x 32 (dual-die, 2 x 16-bit channels) |
| Clock Frequency | 2.133 GHz | 2133 MHz (2.133 GHz) |
| Access Time / Clock Cycle | 3.5 ns | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Boîtier | 200-TFBGA (10 mm x 14.5 mm) | 200-TFBGA (10 x 14.5 mm) |
| Température de fonctionnement | -40C to +125C | — |
| Temperature Grade | Automotive (AUT) | — |
| Self-Refresh | Auto self-refresh | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| VDDQ Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDDQ supply voltage] | — |
| VDD Supply Voltage | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] | — |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Statut RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| AEC-Q100 Qualification | [DATA_NEEDED: AEC-Q100 qualification] | — |
| Débit de données | — | 4266 Mb/s per pin |
| Access Time | — | 3.5 ns |
| Write Cycle Time | — | 18 ns |
| VDDQ I/O Voltage | — | 0.6 V |
| Ball Diameter | — | 0.40 mm (SMD balls) |
| Operating Temperature (AUT variant) | — | -40C to +125C |
| Die Revisions | — | :A (FBGA D9ZQX) and :B (FBGA D8CJB) |
| Caractéristiques | — | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration |
| MSL Rating | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |