MT53E256M32D2DS-053 WT:B vs MT53D512M32D2DS-053 WT:D Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT53E256M32D2DS-053 WT:B par Micron Technology et MT53D512M32D2DS-053 WT:D par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ ActifMicron Technology
MT53D512M32D2DS-053 WT:D - 16Gb LPDDR4 SDRAM | Micron
MT53D512M32D2DS-053 WT:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MT53D512M32D2DS-053 WT:D |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $21,90 | $6,05 |
| Type de mémoire | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Density | 8 Gbit (256M x 32) | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 32 | 512M x 32 |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) | — |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | 1.1 V | — |
| Operating Temperature (WT grade) | -30C to +85C | — |
| Boîtier | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm | 200-WFBGA (10 mm x 14.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Self-Refresh | Auto self-refresh with built-in temperature sensor | Auto self-refresh with temperature-compensated refresh |
| Caractéristiques | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration | Auto self-refresh, built-in temperature sensor, auto precharge, write leveling, ZQ calibration, asynchronous reset, data mask |
| Bus Width | 32-bit | — |
| Peak Bandwidth (per device) | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) | — |
| Statut RoHS | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) | RoHS Compliant (per DigiKey listing) |
| Niveau MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI specification] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: max package height] | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gbit (2 GB) |
| Clock Frequency / Data Rate | — | 1.866 GHz (1866 MT/s) |
| Die Configuration | — | DDP (Double Die Package) |
| Température de fonctionnement | — | -40C to +85C |
| Speed Grade | — | -053 |
| Largeur du bus de données | — | 32 bit |
| Memory Interface | — | Parallel, LPDDR4 |
| Refresh | — | Auto refresh and self refresh |
| Tension d'alimentation | — | [DATA_NEEDED: VDD/VDDQ supply voltage] |